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參數資料
| 型號： | FSB619 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Low Saturation Transistor |
| 中文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | FSB619 |
*Device mounted on FR-4 PCB 4.5” X 5”; mounting pad 0.02 in
2
of 2oz copper.
NPN Low Saturation Transistor
(continued)
-
100
I
C
= 50 mA,V
CE
= 10 V, f=100MHz
Transition Frequency
f
T
pF
30
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1MHz
Output Capacitance
C
obo
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
V
1
I
C
= 2 A, V
CE
= 2 V
Base-Emitter On Voltage
V
BE(on)
V
1
I
C
= 2 A, I
B
= 50 mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
mV
20
235
320
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
I
C
= 1 A, I
B
= 10 mA
I
C
= 2 A, I
B
= 50 mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
-
200
300
200
100
I
C
= 10 mA, V
CE
= 2V
I
C
= 200 mA, V
CE
= 2V
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
I
C
= 2A, V
CE
= 2V
DC Current Gain
h
FE
ON CHARACTERISTICS
*
nA
100
V
CES
= 40 V
Collector Emitter Cutoff Current
I
CES
nA
100
V
EB
= 4V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
nA
100
V
CB
= 40 V
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
5
I
E
= 100
μ
A
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
V
50
I
C
= 100
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
V
50
I
C
= 10 mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
OFF CHARACTERISTICS
Units
Max
Min
Test Conditions
Parameter
Symbol
Electrical Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Page 2 of 2
F
fsb619.lwpPrNA 7/10/98 revC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSB649 | NPN Low Saturation Transistor |
| FSB660A | PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達2A的PNP低飽和電壓晶體管) |
| FSB660 | PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達2A的PNP低飽和電壓晶體管) |
| FSB6726 | PNP General Purpose Amplifier |
| FSB749 | PNP Low Saturation Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FSB619_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB649 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB649_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB660 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB660_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Low Saturation Transistor |
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