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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FSBB20CH60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運(yùn)動(dòng)控制電子 |
| 英文描述： | Smart Power Module |
| 中文描述： | AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, DMA27 |
| 封裝： | MINI, DIP-27 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/16頁(yè) |
| 文件大小： | 544K |
| 代理商： | FSBB20CH60 |
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www.fairchildsemi.com
FSBB20CH60 Rev. C
F
Detailed Package Outline Drawings
(Continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60 | Smart Power Module |
| FSBB30CH60 | Smart Power Module |
| FSBCW30 | PNP General Purpose Amplifier(PNP通用運(yùn)算放大器) |
| FSBF10CH60B | Smart Power Module |
| FSBM10SH60A | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模塊 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模塊 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60C | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60CL | 功能描述:IGBT 模塊 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60CT | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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