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參數資料
| 型號： | FSBB20CH60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | Smart Power Module |
| 中文描述： | AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, DMA27 |
| 封裝： | MINI, DIP-27 |
| 文件頁數： | 6/16頁 |
| 文件大小： | 544K |
| 代理商： | FSBB20CH60 |
6
www.fairchildsemi.com
FSBB20CH60 Rev. C
F
Electrical Characteristics
(T
J
= 25°C, Unless Otherwise Specified)
Inverter Part
Symbol
Note:
3. t
ON
and t
OFF
include the propagation delay time of the internal drive IC. t
C(ON)
and t
C(OFF)
are the switching time of IGBT itself under the given gate driving condition internally.
For the detailed information, please see Figure 4.
Figure 4. Switching Time Definition
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
CE(SAT)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CC
= V
BS
= 15V
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
V
PN
= 300V, V
CC
= V
BS
= 15V
I
C
= 20A
V
IN
= 0V
5V, Inductive Load
(Note 3)
I
C
=20A, T
J
= 25°C
-
-
2.3
V
V
F
FWD Forward Voltage
I
C
= 20A, T
J
= 25°C
-
-
2.1
V
HS
t
ON
t
C(ON)
t
OFF
t
C(OFF)
t
rr
t
ON
t
C(ON)
t
OFF
t
C(OFF)
t
rr
I
CES
Switching Times
-
0.48
-
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
A
-
0.30
-
-
0.93
-
-
0.52
-
-
0.10
-
LS
V
PN
= 300V, V
CC
= V
BS
= 15V
I
C
= 20A
V
IN
= 0V
5V, Inductive Load
(Note 3)
-
0.63
-
-
0.30
-
-
1.01
-
-
0.51
-
-
0.10
-
Collector-Emitter
Leakage Current
V
CE
= V
CES
-
-
250
V
CE
I
C
V
IN
t
ON
t
C(ON)
V
IN(ON)
10% I
C
(a) turn-on
10% V
CE
90% I
C
100% I
C
t
rr
100% I
C
0
V
CE
I
C
V
IN
t
OFF
t
C(OFF)
V
IN(OFF)
10% V
CE
(b) turn-off
10% I
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60 | Smart Power Module |
| FSBB30CH60 | Smart Power Module |
| FSBCW30 | PNP General Purpose Amplifier(PNP通用運算放大器) |
| FSBF10CH60B | Smart Power Module |
| FSBM10SH60A | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模塊 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模塊 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60C | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60CL | 功能描述:IGBT 模塊 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60CT | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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