- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370294 > FXT614 Obsolete - alternative part: ZTX614 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FXT614 |
| 英文描述： | Obsolete - alternative part: ZTX614 |
| 中文描述： | 過時-替代部分：ZTX614 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | FXT614 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 FEB 94
FEATURES
*
100 Volt V
CEO
*
800 mA continuous current
*
Gain of 10K at I
C
=500mA
*
P
tot
= 1 Watt
APPLICATIONS
*
Lamp, solenoid and relay drivers
REFER TO BCX38 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
120
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
100
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
10
V
Continuous Collector Current
I
C
800
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
1
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
120
V
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CEO(SUS)
100
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
10
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
nA
V
CB
=60V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current I
EBO
100
nA
V
EB
=8V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
1.25
V
I
C
=800mA, I
B
=8mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
1.8
V
IC=800mA, V
CE
=5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
5000
10000
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-line
TO92 Compatible
FXT614
3-45
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXT649 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-237VAR |
| FXT653 | Obsolete - alternative part: ZTX653 |
| FY8AAJ03A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| FY8AAJ-03F | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| FY8ABJ03 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FXT614STOA | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FXT614STOB | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FXT614STZ | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FXT618 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT618STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。