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參數資料
| 型號： | FXT749 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | FXT749 |
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 FEB 94
FEATURES
*
25 Volt V
CEO
*
2 Amp continuous current
*
Low saturation voltage
*
P
tot
= 1 Watt
REFER TO ZTX749 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-35
V
Collector-Emitter Voltage
-25
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-6
A
Continuous Collector Current
-2
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
1
W
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-35
V
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-25
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-10
μ
A
μ
A
V
CB
=-30V
V
CB
=-30V,
T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-4V, I
E
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.12
-0.23
-0.3
-0.5
V
V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
-1.25
V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.8
-1
V
IC=-1A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
70
100
75
15
200
200
150
50
300
I
C
=-50mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-6A, V
CE
=-2V*
Transition
Frequency
f
T
100
160
MHz
I
=-100mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
100
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
FXT749
3-56
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXT751 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FXT753 | CONN 30POS 2MM SOCKET STR PC SMD |
| FXTA92 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FY5ACJ-03A | JT 4C 4#16 SKT WALL RECP |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FXT749SM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO |
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| FXT749STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT749STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT751 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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