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參數資料
型號: FZ1200R17KF6CB2V
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 92K
代理商: FZ1200R17KF6CB2V
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相關PDF資料
PDF描述
FZ2400R17KF6CB2 IGBT Module
FZ240R17KF TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 240A I(C)
FZ24R12K4 IGBT Module
FZ300R06KL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048
FZ300R12KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048
相關代理商/技術參數
參數描述
FZ1200R33HE3 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode
FZ1200R33KF1 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
FZ1200R33KF2 功能描述:IGBT 模塊 U 641-FZ1200R33KF2C RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R33KF2-B5 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KF2C 功能描述:IGBT 晶體管 3300V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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