- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375993 > FZ1600R12KE3 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) IGBT-Module PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FZ1600R12KE3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Module |
| 中文描述： | 2300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | FZ1600R12KE3 |
I
C, nom
I
C
1600
2300
A
A
min.
typ.
max.
-
1,7
2,15
V
-
2
t.b.d.
V
μC
115
-
nA
nF
-
5,4
gate emitter leakage current
Gate Emitter Reststrom
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
V
ISOL
C
ies
gate threshold voltage
input capacitance
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
collector emitter satration voltage
-
15,4
-
I
FRM
3200
V
6,5
I2t
V
GE(th)
5
5,8
2,5
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
V
300
k A2s
kV
A
DC forward current
+/- 20
I
F
1600
A
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
I2t value
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
P
tot
T
c
= 25°C;Transistor
7,8
kW
V
GES
collector emitter voltage
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
T
vj
= 25°C
t
p
= 1ms
Dauergleichstrom
t
p
= 1ms, T
c
= 80°C
Grenzlastintegral
nF
repetitive peak forward current
date of publication: 2002-07-29
Gate Schwellenspannung
I
C
= 64mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C,
Eingangskapazitt
I
C
= 1600A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C,
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
Isolations Prüfspannung
Periodischer Spitzenstrom
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
V
CEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: SM TM; Christoph Lübke
1200
Technische Information / technical information
FZ1600R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
preliminary data
vorlufige Daten
Kollektor Emitter Sttigungsspannung
I
C
= 1600A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C,
V
CES
A
I
CRM
V
3200
revision: 2.0
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
-
C
res
-
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
V
CE
=1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C,
-
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
I
CES
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V...+15V;V
CE
= ...V
Q
G
mA
-
400
5
1 (8)
DB_FZ1600R12KE3_2.0.xls
2002-07-29
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZ1600R17KF6B2 | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| FZ1800R12KL4C | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| FZ300R12KE3G | Technische Information / technical information |
| FZ400R12KS4 | IGBT-Module / IGBT-inverter |
| FZ400R65KF1 | IGBT-Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FZ1600R12KF4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 1600A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ1600R12KF4_S1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| FZ1600R12KL4C | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 1600A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ1600R17HP4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ1600R17HP4_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。