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參數資料
| 型號： | FZT1051A |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| 中文描述： | 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | FZT1051A |
SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 4 - FEBRUARY 1998
FEATURES
*
*
*
*
*
*
V
CEO
= 40V
5 Amp Continuous Current
20 Amp Pulse Current
Low Saturation Voltage
High Gain
Extremely Low Equivalent On-resistance;
R
CE(sat)
= 50m
at 5A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
150
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
40
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5
V
Peak Pulse Current
I
CM
10
A
Continuous Collector Current
I
C
5
A
Base Current
I
B
500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
2.5
W
Operating and Storage Temperature
Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
The power which can be dissipated assuming the device is mounted in typical manner on a PCB
with copper equal to 2 inches x 2 inches.
FZT1051A
C
C
E
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT660 | |
| FZT660A | |
| FZTA63 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223 |
| G0100RR | Special Function Video Processor |
| G105 | SIDAC|113V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FZT1051ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT1051ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT1053 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
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| FZT1053ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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