型號: | FZT1147A |
廠商: | ZETEX PLC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
中文描述: | 5 A, 12 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | SOT-223, 4 PIN |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 93K |
代理商: | FZT1147A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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FZT1147ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
FZT1149A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency Typ ft:135MHz; Power Dissipation Pd:2.5W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:450; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
FZT1149ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
FZT1149ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |