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參數資料
| 型號： | FZT869 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR |
| 中文描述： | 7 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | FZT869 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT
(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
ISSUE 2 - JANUARY 1996
FEATURES
*
Extremely low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
36m
at 5A
*
7 Amp
continuous collector current (20 Amp peak)
*
Very low saturation voltages
*
Excellent gain charateristics specified upto 20 Amp
*
P
tot
=3 Watts
PARTMARKING DETAILS -
FZT869
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
25
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6
V
Peak Pulse Current
I
CM
20
A
Continuous Collector Current
I
C
7
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
3
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 4 inch square minimum
FZT869
C
C
E
B
3 - 271
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT969 | SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR |
| FZT968 | PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) POWER TRANSISTOR |
| FZTA14 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:10; Connector Shell Size:12; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle |
| FZTA42 | NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| G7S-3A3B-DC24 | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FZT869TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Ct Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT869TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Ct Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT948 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT |
| FZT948TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT948TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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