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參數資料
型號: FZT968
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) POWER TRANSISTOR
中文描述: 6 A, 12 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 97K
代理商: FZT968
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT
(HIGH PERFORMANCE) POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 OCTOBER 1995
FEATURES
*
Extremely low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
44m
at 5A
*
6 Amps continuous current (Up to 20 Amps peak )
*
High gain and very low saturation voltage
PARTMARKING DETAIL FZT968
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-15
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-12
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-6
V
Peak Pulse Current
I
CM
-20
A
Continuous Collector Current
I
C
-6
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
3
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
μ
A
V
CB
=-12V
V
CB
=-12V, T
amb
=100°C
V
EB
=-6V
I
C
=-500mA, I
=-5mA*
I
C
=-2A, I
B
=-50mA*
I
C
=-6A, I
B
=-250mA*
I
C
=-6A, I
B
=-250mA*
Breakdown Voltages
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
-15
-28
V
-12
-20
V
-6
-8
V
Collector Cut-Off Current
-10
-1.0
nA
μ
A
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-10
nA
Collector-Emitter Saturation
Voltage
-65
-132
-360
-130
-170
-450
mV
mV
mV
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1050
-1200
mV
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-870
-1050
mV
I
C
=-6A, V
CE
=-1V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
300
300
200
150
450
450
300
240
50
1000
I
C
=-10mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-500mA, V
=-1V*
I
C
=-5A, V
CE
=-1V*
I
C
=-10A, V
CE
=-1V*
I
C
=-20A, V
CE
=-1V*
I
=-100mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
Transition Frequency
f
T
80
MHz
Output Capacitance
C
obo
t
on
t
off
161
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
I
C
=-4A, I
=-400mA
I
B2
=400mA, V
CC
=-10V
Switching Times
120
116
ns
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
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FZT968
C
C
E
B
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