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GA10JT12-SMB3L

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  • 制造商
  • GeneSic Semiconductor Inc
  • 功能描述
  • TRANS SJT 1.2KV 10A
GA10JT12-SMB3L 技術參數
  • GA10JT12-263 功能描述:TRANS SJT 1200V 25A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 10A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1403pF @ 800V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:50 GA10JT12-247 功能描述:TRANS SJT 1.2KV 10A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 10A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:170W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AB 標準包裝:30 GA101 功能描述:SCR 60V 200mA Standard Recovery Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 斷態:60V 電壓 - 柵極觸發(Vgt)(最大值):- 電流 - 柵極觸發(Igt)(最大值):- 電壓 - 通態(Vtm)(最大值):- 電流 - 通態(It(AV))(最大值):- 電流 - 通態(It(RMS))(最大值):200mA 電流 - 保持(Ih)(最大值):- 電流 - 斷態(最大值):- 電流 - 不重復浪涌 50,60Hz(Itsm):- SCR 類型:標準恢復型 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 GA100SICP12-227 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態:有效 類型:- 配置:- 電流:100A 電壓:1200V 電壓 - 隔離:- 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 標準包裝:10 GA100SCPL12-227E 功能描述:SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:- 零件狀態:過期 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:10 GA10K4A1A GA10K4D25 GA10SICP12-247 GA10SICP12-263 GA-14 GA15IDDJT22-FR4 GA1616 2"X50YD GA1616 3"X50YD GA1616 4"X50YD GA16B02 GA16JT17-247 GA1A1S100WP GA1A1S201WP GA1A1S202WP GA1A1S203WP GA1A1S204WP GA1A2S100LY GA1A2S100SS
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