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參數資料
| 型號： | GB50XF120K |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | TRANSISTOR 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO, SIXPACK-17, Insulated Gate BIP Transistor |
| 中文描述： | IGBT Modules 75 Amp 1200 Volt Non-Punch Through |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 307K |
| 代理商： | GB50XF120K |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GB75DA120UP | TRANSISTOR 131 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, Insulated Gate BIP Transistor |
| GBJ602 | Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 6.0 A |
| GBJ603 | Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 6.0 A |
| GBJ604 | Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 6.0 A |
| GBJ606 | Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 6.0 A |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GB50XF60K | 功能描述:IGBT 模塊 80 Amp 600 Volt Non-Punch Through RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| GB50YF120N | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:IGBT Fourpack Module, 50 A |
| GB5101 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:單節鋰電池內部保護IC |
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