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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816272CGC-333 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 72 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-209 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/31頁(yè) |
| 文件大小： | 678K |
| 代理商： | GS816272CGC-333 |
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GS816272CC-333/300/250/200/150
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 2/2005
17/31
2004, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816272CGC-333I | 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816272C | 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8170LW72C-333I | 18Mb sigma 1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM |
| GS8170LW36C-333I | 18Mb sigma 1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM |
| GS8170LW36 | Low-Noise Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816273C-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.5NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.5NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.3NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.3NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-166 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 2.9NS 209FBGA - Trays |
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