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參數資料
| 型號： | GS832136GE-250V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 31/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 745K |
| 代理商： | GS832136GE-250V |
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36Mb Sync SRAM Datasheet Revision History
DS/DateRev. Code: Old;
New
Types of Changes
Format or Content
Page;Revisions;Reason
8321Vxx_r1
Creation of new datasheet
8321Vxx_r1; 8321Vxx_r1_01
Content
Added parity bit designators to x18 and x36 pinouts
Removed address pin numbers (except 0 and 1)
Corrected “E” package mechanical drawing thickness to 1.4
mm
Updated format
Added variation information to package mechanical
8321Vxx_r1_01;
8321Vxx_r1_02
Format/Content
8321Vxx_r1_02;
8321Vxx_r1_03
Content
Pb-free information added
8321V18_r1_03;
8321xx_V_r1_04
Content
Changed entire document to reflect change in part
nomenclature
GS832118/32/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
31/31
2003, GSI Technology
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8322V72GC-250I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18GE-225 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18GE-225I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18GE-250 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18GE-250I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8321E18AD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8321E18AD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8321E18AGD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FPBGA - Bulk |
| GS8321E18AGD-375I | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FPBGA - Bulk |
| GS8321E18E | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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