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參數資料
| 型號： | GS8322V18E-150 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 22/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 1038K |
| 代理商： | GS8322V18E-150 |
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Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
22/42
2003, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
Burst Read
tKL
tKC
tKH
Single Write
Single Read
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Deselected with E1
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8322V18E-150I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18E-166 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18E-166I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18E-200 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18E-200I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8322V72C-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/4NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/4NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-166 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8NS/3.5NS 209FBGA - Trays |
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