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參數(shù)資料
| 型號： | GS8322V36GE-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 23/42頁 |
| 文件大小： | 1038K |
| 代理商： | GS8322V36GE-200 |
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Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
23/42
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8322V36GE-200I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V36GE-225 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V36GE-225I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V36GE-250 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V36GE-250I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS8322V72C-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/4NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-166 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8NS/3.5NS 209FBGA - Trays |
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