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參數資料
| 型號： | GS832418C-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件頁數： | 12/46頁 |
| 文件大小： | 1149K |
| 代理商： | GS832418C-200I |
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Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
12/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
Inputs
TDO
TDI
TDO
TDI
18 I/Os
Die A
x18
16Mb
Die B
x18
16Mb
GS832418 Die Layout
Inputs
TDO
TDI
TDO
TDI
18 I/Os
18 I/Os
Die A
x18
16Mb
Die B
x18
16Mb
GS832436 Die Layout
Inputs
TDO
TDI
TDO
TDI
36 I/Os
36 I/Os
Die A
x36
32Mb
Die B
x36
32Mb
GS832472 Die Layout
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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