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參數資料
| 型號： | GS832418C-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件頁數： | 30/46頁 |
| 文件大小： | 1149K |
| 代理商： | GS832418C-200I |
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Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
30/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
Pipelined DCD Read Cycle Timing
Q1
A
Q3
A
Q2
D
Q2c
Q2
B
Q2
A
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CK
ADSP
BW
G
GW
ADV
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tH
tS
tH
tH
tS tH
tS
tH
Suspend Burst
E
1
masks ADSP
Single Read
ADSP is blocked by E1 inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
E
1
tKH
tKC
tS
tS
tH
DQ
A
–DQ
D
tS
RD1
Hi-Z
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
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