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參數(shù)資料
型號(hào)： GS832436B-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 24/46頁(yè)
文件大?。?/td> 1149K
代理商： GS832436B-200
Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
24/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
AC Electrical Characteristics
Notes:
1.
2.
These parameters are sampled and are not 100% tested.
ZZ is an asynchronous signal. However, in order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold
times as specified above.
Parameter
Symbol
-250
-225
-200
-166
-150
-133
Unit
Min
4.0
—
1.5
Max
—
2.3
—
Min
4.4
—
1.5
Max
—
2.5
—
Min
5.0
—
1.5
Max
—
3.0
—
Min
6.0
—
1.5
Max
—
3.4
—
Min
6.7
—
1.5
Max
—
3.8
—
Min
7.5
—
1.5
Max
—
4.0
—
Pipeline
Clock Cycle Time
Clock to Output Valid
Clock to Output Invalid
tKC
tKQ
tKQX
ns
ns
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ
1
tKC
tKQ
tKQX
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Flow
Through
Clock Cycle Time
Clock to Output Valid
Clock to Output Invalid
7.0
—
3.0
—
6.0
—
7.5
—
3.0
—
6.0
—
8.5
—
3.0
—
7.5
—
10.0
—
3.0
—
8.5
—
10.0
—
3.0
—
10.0
—
15.0
—
3.0
—
10.0
—
ns
ns
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ
1
tKH
tKL
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
ns
Clock HIGH Time
Clock LOW Time
Clock to Output in
High-Z
G to Output Valid
1.3
1.5
—
—
1.3
1.5
—
—
1.3
1.5
—
—
1.3
1.5
—
—
1.5
1.7
—
—
1.7
2
—
—
ns
ns
tHZ
1
1.5
2.3
1.5
2.5
1.5
3.0
1.5
3.5
1.5
3.8
1.5
4.0
ns
tOE
—
2.3
—
2.5
—
3.2
—
3.5
—
3.8
—
4.0
ns
G to output in Low-Z
tOLZ
1
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
G to output in High-Z
tOHZ
1
tS
tH
—
2.3
—
2.5
—
3.0
—
3.5
—
3.8
—
4.0
ns
Setup time
Hold time
1.5
0.5
—
—
1.5
0.5
—
—
1.5
0.5
—
—
1.5
0.5
—
—
1.5
0.5
—
—
1.5
0.5
—
—
ns
ns
ZZ setup time
tZZS
2
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
ZZ hold time
tZZH
2
tZZR
1
—
1
—
1
—
1
—
1
—
1
—
ns
ZZ recovery
100
—
100
—
100
—
100
—
100
—
100
—
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS832436B-200I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS832436B-225 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS832436B-225I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS832436B-250 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS832436B-250I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GS8324Z72C200 制造商:G.S.I. 功能描述:
GS8342D06BD-350 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
GS8342D06BD-500 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
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