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參數資料
型號: GS864218B-200IV
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
文件頁數: 20/35頁
文件大小: 934K
代理商: GS864218B-200IV
Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
20/35
2004, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關PDF資料
PDF描述
GS864218B-200V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864218B-250IV 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864218B-250V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864218B-V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864218GB-167IV 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
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GS864218B-250IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864218B-250M 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
GS864218B-250V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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