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參數資料
型號： GS864218B-250IV
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
文件頁數： 17/35頁
文件大小： 934K
代理商： GS864218B-250IV
Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
17/35
2004, GSI Technology
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-200
-167
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x72)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
SB
460
60
480
60
385
50
405
50
340
40
360
40
mA
Flow
Through
330
40
340
40
285
30
295
30
270
30
280
30
mA
(x32/
x36)
Pipeline
360
50
380
50
310
40
330
40
270
35
290
35
mA
Flow
Through
255
25
275
25
230
20
250
20
220
20
240
20
mA
(x18)
Pipeline
315
25
335
25
270
20
290
20
240
20
260
20
mA
Flow
Through
230
15
250
15
205
15
225
15
195
15
215
15
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
100
120
100
120
100
120
mA
Flow
Through
I
SB
100
120
100
120
100
120
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
140
155
130
146
125
140
mA
Flow
Through
I
DD
125
140
120
135
120
135
mA
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD
and V
DDQ
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
相關PDF資料
PDF描述
GS864218B-250V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864218B-V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864218GB-167IV 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864218GB-167V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864218GB-200IV 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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GS864218B-V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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