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參數(shù)資料
型號: GS864218B-250V
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
文件頁數(shù): 4/35頁
文件大小: 934K
代理商: GS864218B-250V
Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
4/35
2004, GSI Technology
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
GS864272C-xxxV 209-Bump BGA Pin Description (Continued)
Symbol
Type
Description
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS864218B-V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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GS864218GB-200IV 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864218GB-200V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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GS864218GB-167V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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