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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS864418E-225V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/32頁(yè) |
| 文件大小： | 811K |
| 代理商： | GS864418E-225V |
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Preliminary
GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 6/2006
17/32
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS864418E-250 | 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-250I | 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644ZV36B-133 | 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8644ZV72C-166I | 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8644ZV72C-200 | 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS864418E-250 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-250I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-V | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418GB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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