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參數資料
型號: GS864418E-225V
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁數: 19/32頁
文件大小: 811K
代理商: GS864418E-225V
Preliminary
GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 6/2006
19/32
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Deselect
tHZ
tKQX
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tKQ
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
E1 masks ADSP
Deselected with E1
E1 masks ADSP
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關PDF資料
PDF描述
GS864418E-250 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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GS8644ZV72C-166I 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
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相關代理商/技術參數
參數描述
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