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參數(shù)資料
型號(hào)： GS8644ZV72C-250I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
中文描述： 1M X 72 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
文件頁(yè)數(shù)： 30/37頁(yè)
文件大小： 776K
代理商： GS8644ZV72C-250I
Product Preview
GS8644ZV18(B/E)/GS8644ZV36(B/E)/GS8644ZV72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
30/37
2003, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
1.8 V Test Port Input High Voltage
V
IHJ
0.6 * V
DD
V
DD
+0.3
V
1
1.8 V Test Port Input Low Voltage
V
ILJ
–
0.3
0.3 * V
DD
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
I
INHJ
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
I
INLJ
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
I
OLJ
–
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
V
OHJ
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
V
OLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
OHJC
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
V
OLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 3.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
≤
V
IN
≤
V
DDn
0 V
≤
V
IN
≤
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
–
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OHJC
= +100 uA
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8644ZV18B 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
GS8644ZV18B-133 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
GS8644ZV18B-133I 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
GS8644ZV18B-150 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
GS8644ZV18B-150I 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS864518GT-166 制造商:GSI Technology 功能描述:4M X 18 (72 MEG) SYNCH BURST, SCD - Trays
GS864518GT-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:4M X 18 (72 MEG) SYNCH BURST, SCD - Trays
GS864518T-150 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 8.5NS/3.4NS 100PQFP - Trays
GS864518T-200 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3NS 100PQFP - Trays
GS864518T-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3NS 100PQFP - Trays
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