- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385334 > GS8662D18GE-250I (GSI TECHNOLOGY) 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS8662D18GE-250I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
| 中文描述： | 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 20/29頁 |
| 文件大小： | 896K |
| 代理商： | GS8662D18GE-250I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁當前第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0 V
6
7
pF
Clock Capacitance
C
CLK
V
IN
= 0 V
5
6
pF
Note:
This parameter is sample tested.
Preliminary
GS8662D08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 2/2006
20/29
2005, GSI Technology
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
1.25 V
Input low level
0.25 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
0.75 V
Output reference level
V
DDQ
/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
DQ
VT = V
DDQ
/2
50
RQ = 250
(HSTL I/O)
V
REF
= 0.75 V
AC Test Load Diagram
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Notes
Input Leakage Current
(except mode pins)
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–2 uA
2 uA
Doff
I
INDOFF
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
–2 uA
–2 uA
2 uA
2 uA
Output Leakage Current
I
OL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DDQ
–2 uA
2 uA
= 1.8 V)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662D18GE-300 | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662D18GE-300I | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662D18GE-333 | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662D18GE-333I | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662D36E-167 | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8662D18GE-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662D18GE-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662D18GE-333 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662D18GE-333I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662D19BD-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。