- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385335 > GS8662Q08E (GSI TECHNOLOGY) 72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS8662Q08E |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
| 中文描述： | 72Mb SigmaQuad -Ⅱ2 SRAM的突發 |
| 文件頁數： | 16/35頁 |
| 文件大小： | 993K |
| 代理商： | GS8662Q08E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁
Preliminary
GS8662Q08/09/18/36E-300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
16/35
2005, GSI Technology
State Diagram
Power-Up
Read NOP
Load New
Read Address
DDR Read
Write NOP
Load New
Write Address
DDR Write
WRITE
READ
READ
WRITE
READ
WRITE
Always
(Fixed)
Always
(Fixed)
READ
WRITE
Notes:
1.
2.
Internal burst counter is fixed as 1-bit linear (i.e., when first address is A0+), next internal burst address is A0+1.
“READ” refers to read active status with R = Low, “READ” refers to read inactive status with R = High. The same is
true for “WRITE” and “WRITE”.
Read and write state machine can be active simultaneously.
State machine control timing sequence is controlled by K.
3.
4.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662Q08E-200 | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
| GS8662Q08E-200I | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
| GS8662Q08E-250 | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
| GS8662Q08E-250I | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
| GS8662Q08E-300 | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8662Q08E-167 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
| GS8662Q08E-167I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
| GS8662Q08E-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
| GS8662Q08E-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
| GS8662Q08E-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。