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參數資料
型號: GS8662Q18GE-250I
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb SigmaQuad-II Burst of 2 SRAM
中文描述: 4M X 18 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
文件頁數: 6/35頁
文件大小: 993K
代理商: GS8662Q18GE-250I
Pin Description Table
Symbol
Description
Type
Comments
SA
Synchronous Address Inputs
Input
NC
No Connect
R
Synchronous Read
Input
Active Low
W
Synchronous Write
Input
Active Low
BW
Synchronous Byte Write
Input
Active Low
x9 only
BW0–BW3
Synchronous Byte Writes
Input
Active Low
x18/x36 only
NW0–NW1
Nybble Write Control Pin
Input
Active Low
x8 only
K
Input Clock
Input
Active High
K
Input Clock
Input
Active Low
C
Output Clock
Input
Active High
C
Output Clock
Input
Active Low
TMS
Test Mode Select
Input
TDI
Test Data Input
Input
TCK
Test Clock Input
Input
TDO
Test Data Output
Output
V
REF
HSTL Input Reference Voltage
Input
ZQ
Output Impedance Matching Input
Input
Qn
Synchronous Data Outputs
Output
Dn
Synchronous Data Inputs
Input
D
off
CQ
Disable DLL when low
Input
Active Low
Output Echo Clock
Output
CQ
Output Echo Clock
Output
V
DD
Power Supply
Supply
1.8 V Nominal
V
DDQ
Isolated Output Buffer Supply
Supply
1.5 or 1.8 V Nominal
V
SS
Power Supply: Ground
Supply
Preliminary
GS8662Q08/09/18/36E-300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
6/35
2005, GSI Technology
Note:
NC = Not Connected to die or any other pin
相關PDF資料
PDF描述
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