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參數資料
| 型號： | GS8662R18E-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| 中文描述： | 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 MM X 17 MM, 1MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 31/37頁 |
| 文件大小： | 942K |
| 代理商： | GS8662R18E-200 |
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JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Power Supply Voltage
V
DDQ
1.7
1.8
1.9
V
Input High Voltage
V
IH
1.3
—
V
DD
+ 0.3
V
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.5
V
Output High Voltage (I
OH
= –2 mA)
V
OH
1.4
—
V
DD
V
Output Low Voltage (I
OL
= 2 mA)
V
OL
V
SS
—
0.4
V
Note: The input level of SRAM pin is to follow the SRAM DC specification.
Preliminary
GS8662R08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
31/37
2005, GSI Technology
Notes:
1.
2.
Distributed scope and test jig capacitance.
Test conditions as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Symbol
Min
Unit
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
1.3/0.5
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timing Reference Level
0.9
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662R18E-200I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R18E-250 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R18E-250I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R18E-300 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R18E-300I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8662R18E-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R18E-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R18E-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R18E-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R18E-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 4MX18 0.45NS 165FBGA - Trays |
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