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參數(shù)資料
型號(hào): GS8662S08E-167
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述: 8M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 32/37頁(yè)
文件大小: 960K
代理商: GS8662S08E-167
JTAG Port AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
Distributed scope and test jig capacitance.
Test conditions as shown unless otherwise noted.
Parameter
Symbol
Min
Unit
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
1.3/0.5
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timing Reference Level
0.9
V
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
32/37
2005, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8662S08E-167I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08E-200 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
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參數(shù)描述
GS8662S08E-167I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08E-200 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
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GS8662S08E-250 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
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