- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385338 > GS8662S08GE-200 (GSI TECHNOLOGY) 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS8662S08GE-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| 中文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 32/37頁 |
| 文件大小： | 960K |
| 代理商： | GS8662S08GE-200 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁當前第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
JTAG Port AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
Distributed scope and test jig capacitance.
Test conditions as shown unless otherwise noted.
Parameter
Symbol
Min
Unit
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
1.3/0.5
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timing Reference Level
0.9
V
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
32/37
2005, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662S08GE-200I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-250 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-250I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-300 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-300I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8662S08GE-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。