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參數資料
型號: GS8662S08GE-200
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述: 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁數: 5/37頁
文件大小: 960K
代理商: GS8662S08GE-200
2M x 36 SigmaQuad SRAM—Top View
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A
CQ
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SS
/SA
(288Mb)
SA
R/W
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K
BW1
LD
SA
V
SS
/SA
(144Mb)
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BW0
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D
D28
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V
SS
V
SS
V
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SS
V
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V
SS
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SS
V
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K
Q32
D32
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L
Q33
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M
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V
SS
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SS
V
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SS
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SS
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D34
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SS
SA
SA
SA
V
SS
Q10
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D1
P
Q35
D35
Q26
SA
SA
C
SA
SA
Q9
D0
Q0
R
TDO
TCK
SA
SA
SA
C
SA
SA
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm
2
Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1.
2.
3.
BW0 controls writes to D0:D8. BW1 controls writes to D9:D17.
BW2 controls writes to D18:D26. BW3 controls writes to D27:D35.
It is recommended that H1 be tied low for compatibility with future devices.
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
5/37
2005, GSI Technology
相關PDF資料
PDF描述
GS8662S08GE-200I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-250 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-250I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-300 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-300I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
相關代理商/技術參數
參數描述
GS8662S08GE-200I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-250 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-250I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-300 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-300I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
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