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參數資料
| 型號： | GS8662S08GE-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| 中文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 4/37頁 |
| 文件大小： | 960K |
| 代理商： | GS8662S08GE-200I |
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4M x 18 SigmaQuad SRAM—Top View
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A
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(144Mb)
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TCK
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SA
SA
C
SA
SA
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm
2
Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1.
2.
BW0 controls writes to D0:D8. BW1 controls writes to D9:D17.
It is recommended that H1 be tied low for compatibility with future devices.
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
4/37
2005, GSI Technology
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662S08GE-250 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-250I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-300 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-300I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-333 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8662S08GE-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-333 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
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