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參數資料
| 型號： | GS8662S09E-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| 中文描述： | 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 6/37頁 |
| 文件大小： | 960K |
| 代理商： | GS8662S09E-200I |
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Pin Description Table
Symbol
Description
Type
Comments
SA
Synchronous Address Inputs
Input
—
NC
No Connect
—
—
R/W
Read/Write Contol Pin
Input
Write Active Low; Read Active High
NW0–NW1
Synchronous Nybble Writes
Input
Active Low
x08 Version
BW0–BW1
Synchronous Byte Writes
Input
Active Low
x18 Version
BW0–BW3
Synchronous Byte Writes
Input
Active Low
x36 Version
K
Input Clock
Input
Active High
C
Output Clock
Input
Active High
TMS
Test Mode Select
Input
—
TDI
Test Data Input
Input
—
TCK
Test Clock Input
Input
—
TDO
Test Data Output
Output
—
V
REF
HSTL Input Reference Voltage
Input
—
ZQ
Output Impedance Matching Input
Input
—
K
Input Clock
Input
Active Low
C
Output Clock
Output
Active Low
D
OFF
DLL Disable
—
Active Low
LD
Synchronous Load Pin
—
Active Low
CQ
Output Echo Clock
Output
Active Low
CQ
Output Echo Clock
Output
Active High
Dn
Synchronous Data Inputs
Input
Qn
Synchronous Data Outputs
Output
V
DD
Power Supply
Supply
1.8 V Nominal
V
DDQ
Isolated Output Buffer Supply
Supply
1.8 or 1.5 V Nominal
V
SS
Power Supply: Ground
Supply
—
Notes:
1.
2.
C, C, K, or K cannot be set to V
REF
voltage.
When ZQ pin is directly connected to V
DD
, output impedance is set to minimum value and it cannot be connected to ground or left
unconnected.
NC = Not Connected to die or any other pin
3.
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
6/37
2005, GSI Technology
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662S09E-250 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS88136AD-133 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AT-150 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AT-150I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AT-166 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8662S09E-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S09E-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S09E-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S09E-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S09E-333 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
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