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參數資料
| 型號： | GS88136AT-250I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 8/36頁 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | GS88136AT-250I |
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GS88118A(T/D)/GS88132A(D)/GS88136A(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 3/2005
8/36
2001, GSI Technology
GS88118/32/36AD 165-Bump BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ADSC, ADSP
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active l0w
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
V
DD
V
SS
V
DDQ
—
Must Connect Low
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88136AD-133I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AD-150I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AD-166 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AD-166I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| GS88136BD-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS88136BD-200 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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