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參數(shù)資料
型號(hào)： GS88136BD-150
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 16/39頁(yè)
文件大小： 791K
代理商： GS88136BD-150
Absolute Maximum Ratings
(All voltages reference to V
SS
)
Symbol
V
DD
V
DDQ
V
I/O
V
IN
I
IN
I
OUT
P
D
T
STG
Description
Voltage on V
DD
Pins
Voltage in V
DDQ
Pins
Value
Unit
–
0.5 to 4.6
V
–
0.5 to 4.6
V
Voltage on I/O Pins
–
0.5 to V
DDQ
+0.5 (
≤
4.6 V max.)
–
0.5 to V
DD
+0.5 (
≤
4.6 V max.)
V
Voltage on Other Input Pins
V
Input Current on Any Pin
+/
–
20
mA
Output Current on Any I/O Pin
+/
–
20
mA
Package Power Dissipation
1.5
W
Storage Temperature
–
55 to 125
o
C
T
BIAS
Temperature Under Bias
–
55 to 125
o
C
GS88118B(T/D)/GS88132B(T/D)/GS88136B(T/D)
Rev: 1.05 11/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
16/39
2002, GSI Technology
Note:
Permanent damage to the device may occur if the Absolute Maximum Ratings are exceeded. Operation should be restricted to Recommended
Operating Conditions. Exposure to conditions exceeding the Absolute Maximum Ratings, for an extended period of time, may affect reliability of
this component.
Power Supply Voltage Ranges
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
3.3 V Supply Voltage
V
DD3
3.0
3.3
3.6
V
2.5 V Supply Voltage
V
DD2
2.3
2.5
2.7
V
3.3 V V
DDQ
I/O Supply Voltage
V
DDQ3
3.0
3.3
3.6
V
2.5 V V
DDQ
I/O Supply Voltage
V
DDQ2
2.3
2.5
2.7
V
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
2.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS88136BD-150I 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-200 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-200I 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-250 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-250I 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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GS88136BD-150IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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GS88136BD-200 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
GS88136BD-200I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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