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參數(shù)資料
| 型號： | GS88136BT-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 17/36頁 |
| 文件大小： | 776K |
| 代理商： | GS88136BT-200V |
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GS88118/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
17/36
2006, GSI Technology
V
DDQ2
& V
DDQ1
Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
V
DD
Input High Voltage
V
IH
0.6*V
DD
—
V
DD
+ 0.3
V
1
V
DD
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
2.
Recommended Operating Temperatures
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
Ambient Temperature (Commercial Range Versions)
T
A
0
25
70
°
C
2
Ambient Temperature (Industrial Range Versions)
T
A
–
40
25
85
°
C
2
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
2.
20% tKC
V
SS
–
2.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
V
DD
+ 2.0 V
50%
V
DD
V
IL
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
Parameter
Symbol
C
IN
C
I/O
Test conditions
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
4
5
pF
Input/Output Capacitance
6
7
pF
Note:
These parameters are sample tested.
= 2.5 V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88136BT-250IV | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BT-250V | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36AD-133I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-166T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS88136BT-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BT-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BT-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BT-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BT-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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