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參數資料
型號： GS88136BT-200V
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數： 19/36頁
文件大?。?/td> 776K
代理商： GS88136BT-200V
GS88118/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
19/36
2006, GSI Technology
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-200
-150
Unit
0
to 70°C
–
40
to
85°C
0
to 70°C
–
40
to 85°C
0
to 70°C
–
40
to 85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x32/x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
200
30
220
30
170
25
190
25
140
20
160
20
mA
Flow Through
I
DD
I
DDQ
160
25
180
25
140
20
160
20
130
15
150
15
mA
(x18)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
185
15
205
15
155
15
175
15
130
10
150
10
mA
Flow Through
I
DD
I
DDQ
145
15
165
15
130
10
150
10
120
8
140
8
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
40
50
mA
Flow Through
I
SB
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
85
90
75
80
60
65
mA
Flow Through
I
DD
60
65
50
55
50
55
mA
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD1
, V
DD2
, V
DDQ1
, and V
DDQ2
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
相關PDF資料
PDF描述
GS88136BT-250IV 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BT-250V 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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GS881E18AD-166T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AD-200 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
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GS88136BT-250I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BT-250IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BT-250V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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