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參數資料
| 型號： | GS88136BT-300I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 19/39頁 |
| 文件大小： | 791K |
| 代理商： | GS88136BT-300I |
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DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
GS88118B(T/D)/GS88132B(T/D)/GS88136B(T/D)
Rev: 1.05 11/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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2002, GSI Technology
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88136BT-333 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BT-333I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BT-150V | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88132BT-150IV | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88132BT-150V | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS88136BT-333 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BT-333I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136CD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
| GS88136CD-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
| GS88136CD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5.5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays |
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