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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS881E18AT-166 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 7 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/37頁(yè) |
| 文件大小： | 662K |
| 代理商： | GS881E18AT-166 |
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GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
5/29
2001, GSI Technology
GS881E18/36A Block Diagram
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
Q
Register
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0
–
An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
FT
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1
–
DQx9
NC
Parity
Compare
NC
Parity
Encode
36
4
36
36
4
32
Note: Only x36 version shown for simplicity.
1
36
36
D
Q
R
4
B
B
B
C
B
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18AT-166I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-166IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-166T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-200 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-200I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E18AT-166I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-166IT | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-166T | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-200 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-200I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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