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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E18AT-166 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 7 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 5/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 662K |
| 代理商： | GS881E18AT-166 |
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Revision: 2/3/05
GS881E18/32/36AD
Supplemental Datasheet Information
GS881E18/32/36AD 165-Bump BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
An
A
17,
A
18
DQ
A1
–DQ
A9
DQ
B1
–DQ
B9
DQ
C1
–DQ
C9
DQ
D1
–DQ
D9
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ADSC, ADSP
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
Address Input
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active l0w
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
V
DD
V
SS
V
DDQ
—
Must Connect Low
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18AT-166I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-166IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-166T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-200 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-200I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E18AT-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-166IT | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-166T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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