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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E18AT-200IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 34/37頁 |
| 文件大小： | 662K |
| 代理商： | GS881E18AT-200IT |
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GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
26/29
2001, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E32AD-225T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E32AD-250 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E32AD-250I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E32AD-250IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E32AD-250T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E18AT-200T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-225IT | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AT-225T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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