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參數(shù)資料
型號(hào)： GS881E18AT-200IT
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 5/37頁(yè)
文件大小： 662K
代理商： GS881E18AT-200IT
Revision: 2/3/05
GS881E18/32/36AD
Supplemental Datasheet Information
GS881E18/32/36AD 165-Bump BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
An
A
17,
A
18
DQ
A1
–DQ
A9
DQ
B1
–DQ
B9
DQ
C1
–DQ
C9
DQ
D1
–DQ
D9
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ADSC, ADSP
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
Address Input
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active l0w
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
V
DD
V
SS
V
DDQ
—
Must Connect Low
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
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PDF描述
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參數(shù)描述
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