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參數資料
型號: GS881E36AD-166I
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述: 256K X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數: 12/37頁
文件大?。?/td> 662K
代理商: GS881E36AD-166I
GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
4/29
2001, GSI Technology
TQFP Pin Description
Symbol
Type
Description
A
0
, A
1
I
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
A
n
I
Address Inputs
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
I/O
Data Input and Output pins
NC
No Connect
BW
I
Byte Write
Writes all enabled bytes; active low
B
A
, B
B,
B
C
, B
D
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
CK
I
Clock Input Signal; active high
GW
I
Global Write Enable
Writes all bytes; active low
E
1
I
Chip Enable; active low
E
2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
相關PDF資料
PDF描述
GS881E36AD-166IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AD-166T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AD-200 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AD-200I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AD-200IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
GS881E36AD-166IT 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AD-166T 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AD-200 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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