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參數資料
| 型號： | GS881Z36T-80I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 14 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 32/34頁 |
| 文件大小： | 542K |
| 代理商： | GS881Z36T-80I |
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Rev: 1.10 8/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
32/34
1998, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
.
GS881Z18/36T-11/100/80/66
TQFP Package Drawing
BPR 1999.05.18
D
D
E1
E
P
b
e
c
L
L1
A2
A1
Y
θ
Notes:
1.
2.
All dimensions are in mllimeters (mm.
Package width and length do not include mold protrusion.
Symbol
Description
Mn.
Nom.
Max
A1
Standoff
0.05
0.10
0.15
A2
Body Thickness
1.35
1.40
1.45
b
Lead Width
0.20
0.30
0.40
c
Lead Thickness
0.09
—
0.20
D
Termnal Dimension
21.9
22.0
22.1
D1
Package Body
19.9
20.0
20.1
E
Termnal Dimension
15.9
16.0
16.1
E1
Package Body
13.9
14.0
14.1
e
Lead Pitch
—
0.65
—
L
Foot Length
0.45
0.60
0.75
L1
Lead Length
—
1.00
—
Y
Coplanarity
—
—
0.10
θ
Lead Angle
0
°
—
7
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881Z18T-100 | 8Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs |
| GS88218AB | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AB-150I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AB-166 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AB-166I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS881ZV18BT-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) NBT, JTAG - Trays |
| GS881ZV18BT-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) NBT, JTAG - Trays |
| GS881ZV18BT-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) NBT, JTAG - Trays |
| GS881ZV32BD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 32 (8 MEG) NBT, JTAG - Trays |
| GS881ZV36BT-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) NBT, JTAG - Trays |
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