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參數資料
| 型號： | GS881Z36T-80I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 14 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 9/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 542K |
| 代理商： | GS881Z36T-80I |
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Rev: 1.10 8/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
9/34
1998, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
.
GS881Z18/36T-11/100/80/66
Pipeline and Flow Through Read-Write Control State Diagram
Deselect
New Read
New Write
Burst Read
Burst Write
W
R
B
R
B
W
D
D
B
B
W
R
D
B
W
R
D
D
Current State (n)
Next State (n+1)
Transition
Input Command Code
Key
Notes
1. The Hold command (CKE Low) is not
shown because it prevents any state change.
2. W, R, B and D represent input command
codes, as indicated in the Synchronous Truth Table.
Clock (CK)
Command
Current State
Next State
n
n+1
n+2
n+3
Current State and Next State Definition for
Pipelined and Flow Through Read/Write Control State Diagram
W
R
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881Z18T-100 | 8Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs |
| GS88218AB | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AB-150I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AB-166 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AB-166I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS881ZV18BT-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) NBT, JTAG - Trays |
| GS881ZV18BT-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) NBT, JTAG - Trays |
| GS881ZV18BT-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) NBT, JTAG - Trays |
| GS881ZV32BD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 32 (8 MEG) NBT, JTAG - Trays |
| GS881ZV36BT-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) NBT, JTAG - Trays |
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