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參數資料
| 型號： | GS88237BB-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | FPBGA-119 |
| 文件頁數： | 10/28頁 |
| 文件大小： | 747K |
| 代理商： | GS88237BB-200V |
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First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
CR
R
CW
CR
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1.
2.
The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a Deselect cycle. Dummy Read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
Transitions shown in grey tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
3.
GS88237BB/D-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
10/28
2003, GSI Technology
Simplified State Diagram with G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88237BB-250IV | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB-200 | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB-200I | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB-250 | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS88237CB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.7NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.7NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.3NS 119FPBGA - Trays |
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