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參數資料
| 型號： | GS88237BB-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | FPBGA-119 |
| 文件頁數： | 14/28頁 |
| 文件大小： | 747K |
| 代理商： | GS88237BB-200V |
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Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-200
Unit
0
to 70°C
–
40
to 85°C
0
to 70°C
–
40
to 85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
290
40
300
40
240
30
250
30
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
85
90
75
80
mA
GS88237BB/D-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
14/28
2003, GSI Technology
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD3
and V
DDQ
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88237BB-250IV | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB-200 | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB-200I | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB-250 | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS88237CB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.7NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.7NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.3NS 119FPBGA - Trays |
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