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參數資料
型號: GTL2010PW
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 電壓/頻率轉換
英文描述: 10-bit bidirectional low voltage translator
封裝: GTL2010BS<SOT616-1 (HVQFN24)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT616-1.html<1<Always Pb-free,;GTL2010PW<SOT355-1 (TSSOP24)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT355-1.html<1&l
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文件大小: 117K
代理商: GTL2010PW
GTL2010_6
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 3 March 2008
9 of 20
NXP Semiconductors
GTL2010
10-bit bidirectional low voltage translator
11. Static characteristics
[1]
All typical values are measured at T
amb
= 25
°
C.
Measured by the voltage drop between the Sn and the Dn terminals at the indicated current through the switch. ON-state resistance is
determined by the lowest voltage of the two (Sn or Dn) terminals.
[2]
Table 9.
T
amb
=
40
°
C to +85
°
C, unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
V
OL
LOW-level output voltage
Static characteristics
Conditions
V
CC
= 3.0 V; V
SREF
= 1.365 V;
V
Sn
or V
Dn
= 0.175 V; I
clamp
= 15.2 mA
I
I
=
18 mA; V
GREF
= 0 V
Min
-
Typ
[1]
260
Max
350
Unit
mV
V
IK
I
LI(G)
C
ig
C
io(off)
input clamping voltage
gate input leakage current V
I
= 5 V; V
GREF
= 0 V
input capacitance at gate
off-state input/output
capacitance
on-state input/output
capacitance
ON-state resistance
-
-
-
-
-
-
56
7.4
1.2
5
-
-
V
μ
A
pF
pF
V
I
= 3 V or 0 V
V
O
= 3 V or 0 V; V
GREF
= 0 V
C
io(on)
V
O
= 3 V or 0 V; V
GREF
= 3 V
-
18.6
-
pF
R
on
V
I
= 0 V; I
O
= 64 mA
V
GREF
= 4.5 V
V
GREF
= 3 V
V
GREF
= 2.3 V
V
GREF
= 1.5 V
V
I
= 0 V; I
O
= 30 mA; V
GREF
= 1.5 V
V
I
= 2.4 V; I
O
= 15 mA; V
GREF
= 4.5 V
V
I
= 2.4 V; I
O
= 15 mA; V
GREF
= 3 V
V
I
= 1.7 V; I
O
= 15 mA; V
GREF
= 2.3 V
[2]
-
-
-
-
3.5
4.4
5.5
67
9
7
58
50
5
7
9
115
15
10
80
70
[2]
-
[2]
-
[2]
-
[2]
-
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